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内存价格暴涨期终结,美国存储器巨头美光下调资本支出和产量

从2018年开始,NAND闪存价格已出现疲软,并将持续到2019年,而DRAM内存价格在三季度也由涨转跌,三大存储器厂商纷纷进行业务调整。 12月19日,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报

星期四 2018.12.20
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内存价格暴涨期终结,美国存储器巨头美光下调资本支出和产量

第一财经       2018-12-20 09 : 25
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从2018年开始,NAND闪存价格已出现疲软,并将持续到2019年,而DRAM内存价格在三季度也由涨转跌,三大存储器厂商纷纷进行业务调整。

12月19日,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。报告显示,美光当季营收79.1亿美元,同比增长16%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。不过,由于营收和下季度业绩展望低于分析师预期,美光股价在盘后下跌近9%。

美光预计,2019年DRAM和NAND需求将减弱,因此下调了第二财季的营收,预计为57亿到63亿美元之间,低于分析师预期的73亿美元。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示,“我们正采取果断行动,包括大幅降低2019财年资本开支”,减少NAND 及DRAM产量以维持价格。

在美光之前,其在韩国的竞争对手三星和SK海力士也进行了调整。SK海力士此前表示,为了应对2019年NAND 及DRAM价格下跌的趋势,该公司决定自2018年底前开始减少投资规模,并将监控调整2019年的产能。

全球最大的存储器厂商三星也表示,将放缓存储器半导体业务的扩张步伐。据了解,三星2018年下半年原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资,但现在或将延至2019年,取而代之的是对现有产线进行补强投资。

目前,三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上。在暴涨了近两年后,存储器价格终于下跌。

自2016年以来的存储器价格持续上涨让三星打败了英特尔,成为全球最大的半导体厂商。

中国是世界上最大的集成电路市场,占全球份额一半以上。受存储芯片涨价影响,中国2017年进口存储芯片889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出,随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加,第三季NAND Flash供给稳定成长。

但受中美贸易摩擦影响,加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素,导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭,NAND Flash各类产品合约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%。

展望第四季度,DRAMeXchange分析师叶茂盛指出,由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存,以及中美贸易摩擦持续进行,导致需求持续走弱,预计第四季仍维持供过于求态势,各类产品合约价跌幅加剧。

对于DRAM,该机构称,10月份的DRAM合约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。

预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

Sanjay在电话会议上也表示,DRAM价格疲软的态势将持续。“由于DRAM价格长期上涨,我们认为部分客户的库存高于正常情况。随着DRAM供应赶上需求,这些客户正在降低库存水平。”

他指出,智能手机业务部门的需求也在继续减弱。此外,英特尔CPU短缺的影响也在持续。 “虽然我们的客户以及市场对工业、云、企业等细分市场的需求是稳健的,但此次库存调整期将导致DRAM的需求疲软,并将可能会持续到2019年上半年。”

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