12月3日，武汉新芯集成电路制造有限公司（下称“武汉新芯”）对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。

2016年，国家集成电路产业投资基金（大基金）领衔其他投资方出资240亿美金，投产武汉新芯项目，布局3DNAND，设计产能达到30万片/月。芯片国产化是国家战略，武汉新芯项目落地充分彰显国家要将这一战略实施到底的决心，利好国内半导体全产业链。

据了解，三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，能为客户提供工艺先武汉新芯进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”

伴随大数据、云存储、物联网等新兴产业发展，未来需求量将进一步增加，巨大需求支持本地存储芯片产业崛起。芯片国产化进程已上升为国家重要的发展规划，国内核心芯片尤其是存储类芯片自给率较低，国家推动核心芯片国产替代势在必行。

在政策以及技术的支持下，国产芯片龙头将受益，A股市场相关上市公司中中科曙光（603019.SH）、紫光国微（002049.SZ）、北方华创（002371.SZ）以及长川科技（300604.SZ）等值得关注。