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紫光再投千亿级建芯片厂 能否缓解缺“芯 ”困局

2017-02-15 14:36:07   铁流

1月18日,总投资额达2600亿元人民币的紫光南京半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目在南京正式签约。江苏省委书记李强,省委副书记、省长石泰峰,省委副书记、南京市委书记吴政隆出席签约仪式并会见紫光集团董事长赵伟国一行。

日前,紫光南京半导体产业基地及IC国际城项目正式宣布开工。本次紫光南京半导体产业基地项目,由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩,总投资超300亿美元。项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。项目建成后,将有希望在一定程度上缓解当前存储芯片受制于人的窘境。

联系去年紫光集团投资1600亿元人民币在武汉开工建设了存储工厂,紫光这一连串举动能否实现存储芯片国产化替代,又存在什么未知数呢?

紫光用意在于解决存储芯片依赖进口的现状

紫光在武汉的存储工厂和在南京的存储工厂主攻方向是NAND Flash、DRAM存储芯片。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据,比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash。DRAM是动态随机存取存储器,只能将数据保持很短的时间,而且关机就会丢失数据,电脑上4G/8G内存采用的就是DRAM,一些手机内存,比如三星制造的LPDDR4 内存颗粒也是DRAM。

目前,NAND Flash市场被三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持,三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额,其中三星是领头羊,市场份额约38%。而在DRAM市场,三星、SK海力士、镁光也占据了大半,根据全球市场研究机构TrendForce报告显示,在2015年第三季度和第四季度,三星占据DRAM市场份额的46.7%和46.4%,SK海力士的市场份额分别为28%和27.9%,镁光的市场份额分别为19.2%和18.9%。根据《电子产品世界》2016年第7期显示,在2016年上半年,三大厂依旧牢牢把握住市场,三星、SK海力士、镁光的增长率分别为23.1%、23%、26%。

无论是NAND Flash还是DRAM,国产存储芯片不仅市场比例小,而且在技术上和境外巨头也存在不小的差距。国内消耗的80%的存储芯片都需要进口,储存芯片市场基本比外资瓜分。

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